IRF6643TRPBF
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
IRF6643TRPBF사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
-40°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
드레인-소스 전압(Vdss)：
150 V
전력 소비(최대)：
2.8W (Ta), 89W (Tc)
공급자 장치 패키지：
DIRECTFET™ MZ
패키지/케이스：
DirectFET™ Isometric MZ
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
55 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2340 pF @ 25 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4.9V @ 150µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
