IXTA3N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTA3N120-TRL사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3A (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
5V @ 250µA
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
드레인-소스 전압(Vdss)：
1200 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
42 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
TO-263AA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1350 pF @ 25 V
전력 소비(최대)：
200W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
