STD11NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
STD11NM60N-1사양
장착 유형：
Through Hole
작동 온도：
150°C (TJ)
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
31 nC @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
Vgs(최대)：
±25V
패키지/케이스：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
공급자 장치 패키지：
IPAK
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
10A (Tc)
전력 소비(최대)：
90W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
450mOhm @ 5A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
850 pF @ 50 V
