FDP12N50
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
FDP12N50사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-220-3
Vgs(최대)：
±30V
Vgs(일)(최대) @ Id：
5V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
TO-220-3
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
드레인-소스 전압(Vdss)：
500 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
11.5A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
650mOhm @ 6A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1315 pF @ 25 V
전력 소비(최대)：
165W (Tc)
