IXTN30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
IXTN30N100L사양
장착 유형：
Chassis Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(최대)：
±30V
드레인-소스 전압(Vdss)：
1000 V
패키지/케이스：
SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지：
SOT-227B
Vgs(일)(최대) @ Id：
5.5V @ 250µA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
30A (Tc)
전력 소비(최대)：
800W (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
13700 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
450mOhm @ 15A, 20V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
545 nC @ 20 V
