SI3430DV-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
부품 번호：
SI3430DV-T1-E3
대체 모델：
REF2033AIDDCT , BAS16LS-QYL , NCV33274ADR2G , LTC3810EG#PBF , ADR5043ARTZ-REEL7 , GRPB031VWVN-RC , PMST5550 , 115 , TC7660EOA , BSS123 , 215 , 5054331091 , MSWSE-050-17 , 5065-2 , BSZ215CHXTMA1 , 9774110360R , TPD4E05U06DQAR
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
RoHS는：
YES
SI3430DV-T1-E3 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지：
6-TSOP
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
6V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
1.8A (Ta)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2V @ 250µA (Min)
전력 소비(최대)：
1.14W (Ta)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
6.6 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
170mOhm @ 2.4A, 10V
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：14185
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단가
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