SI7904BDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
부품 번호：
SI7904BDN-T1-GE3
대체 모델：
SI7232DN-T1-GE3 , SI7904BDN-T1-E3 , DMP2123L-7 , SISB46DN-T1-GE3 , SI7216DN-T1-E3 , SIS990DN-T1-GE3 , ADG719BRTZ-REEL7 , AONR21357 , 5M1270ZT144C5N , SI4204DY-T1-GE3 , HCPL-817-56DE , SIA906EDJ-T1-GE3 , SI7106DN-T1-E3 , TL431BIDBZR , SQA410EJ-T1_GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
RoHS는：
YES
SI7904BDN-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
구성：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6A
패키지/케이스：
PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® 1212-8 Dual
전력 - 최대：
17.8W
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 7.1A, 4.5V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
24nC @ 8V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
860pF @ 10V
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빠른 가격 조회
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표준 포장 수량：4505
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단가
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