SI7115DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
부품 번호：
SI7115DN-T1-GE3
대체 모델：
FDMC86261P , DGH106Q2R7 , SI7115DN-T1-E3 , SI7119DN-T1-GE3 , BZX84-C12 , 215 , IRFR6215TRPBF , SI7113DN-T1-E3 , 2N7002DWH6327XTSA1 , SI7489DP-T1-GE3 , HMC427ALP3ETR , MC74LCX245DTR2G , APG0603SYC-TT , ACS781LLRTR-050B-T , MMSZ5240BS-7-F , NLVHC4851ADR2G
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
RoHS는：
YES
SI7115DN-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
6V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
FET 유형：
P-Channel
작동 온도：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® 1212-8
패키지/케이스：
PowerPAK® 1212-8
드레인-소스 전압(Vdss)：
150 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1190 pF @ 50 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
42 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
3.7W (Ta), 52W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
8.9A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
295mOhm @ 4A, 10V
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