IPB60R099CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
부품 번호：
IPB60R099CPAATMA1
대체 모델：
TMP235AEDCKRQ1 , NVD5C478NT4G , VS-30ETH06STRR-M3 , TMP235A4DBZR , STB33N65M2 , SPB20N60C3ATMA1 , AQY232SZ , AMT49413KEVSR-J , IPB60R099CPATMA1 , SN74LV1T34QDCKRQ1 , CGRM4004-G , TPS2041BQDBVRQ1 , MSD-1-A , LTC4357HMS8#TRPBF , BSZ039N06NSATMA1 , AUIRS2181STR , AUIRS21811STR , AUIRS2191STR
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
RoHS는：
YES
IPB60R099CPAATMA1 사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
-40°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO263-3-2
전력 소비(최대)：
255W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
31A (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2800 pF @ 100 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.5V @ 1.2mA
관심 있는 제품
FQB27N25TM-F085
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
추가 주문
FDMA6676PZ
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
추가 주문
FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
추가 주문
DMP2021UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
$0.28
추가 주문
DMN6075S-13
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
$0.07
추가 주문
DMN3053L-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
$0.1
추가 주문
IRL7486MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
$1.19
추가 주문
IRFI7446GPBF
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
추가 주문
IRFI7440GPBF
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB FP
추가 주문
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
추가 주문
IRFH7191TRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
$1.12
추가 주문
IRFH7188TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
추가 주문
IRF7483MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
추가 주문
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：2055
수량
단가
국제 가격
1000
5.27
5270
2000
4.94
9880
팁 => 아래 양식을 작성하십시오.가능한 한 빨리 연락드리겠습니다.
atla@hk-atla.com
