IPP60R125C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
부품 번호：
IPP60R125C6XKSA1
대체 모델：
SIHG100N60E-GE3 , IPP60R040C7XKSA1 , 2EDN7524FXTMA1 , 2EDN7523FXTMA1
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
RoHS는：
YES
IPP60R125C6XKSA1 사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-220-3
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO220-3
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
30A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.5V @ 960µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
96 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2127 pF @ 100 V
전력 소비(최대)：
219W (Tc)
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：2071
수량
단가
국제 가격
1
6.09
6.09
50
4.83
241.5
100
4.14
414
500
3.69
1845
1000
3.16
3160
2000
2.97
5940
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