STB26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
부품 번호：
STB26NM60N
대체 모델：
R6024ENJTL , IPB60R180P7ATMA1 , AOB27S60L , NVB110N65S3F , DMN3730U-7 , FCB20N60FTM , BAT54SFILMY , R6020KNJTL , STB33N65M2 , STB24NM60N , STB21N65M5 , FCB20N60TM , FDV303N
제조업체：
STMicroelectronics
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
RoHS는：
YES
STB26NM60N 사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
150°C (TJ)
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
Vgs(최대)：
±30V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
TO-263 (D2PAK)
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
20A (Tc)
전력 소비(최대)：
140W (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
60 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1800 pF @ 50 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
165mOhm @ 10A, 10V
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