IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
부품 번호：
IRFH5010TRPBF
대체 모델：
IRFH5010TR2PBF , 1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , IRLH5030TRPBF , SP4065-08ATG , TLV6703QDSERQ1 , IPD220N06L3GATMA1 , TDA08H0SB1 , ATL431LIAQDQNR , IRLML9301TRPBF , SQ1464EEH-T1_GE3 , ZXMP6A17E6QTA , FDMS86150 , IRFH5015TRPBF , NSR20F30NXT5G , IRLML0060TRPBF , LT4356HDE-1#PBF , STL100N10F7
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
RoHS는：
YES
IRFH5010TRPBF 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지：
8-PQFN (5x6)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
98 nC @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 150µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
4340 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 50A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
13A (Ta), 100A (Tc)
전력 소비(최대)：
3.6W (Ta), 250W (Tc)
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