IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
부품 번호:
IRFH5010TRPBF
대체 모델:
IRFH5010TR2PBF  ,  1EDN7512BXTSA1  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS2011STRPBF  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  IRLH5030TRPBF  ,  SP4065-08ATG  ,  TLV6703QDSERQ1  ,  IPD220N06L3GATMA1  ,  TDA08H0SB1  ,  ATL431LIAQDQNR  ,  IRLML9301TRPBF  ,  SQ1464EEH-T1_GE3  ,  ZXMP6A17E6QTA  ,  FDMS86150  ,  IRFH5015TRPBF  ,  NSR20F30NXT5G  ,  IRLML0060TRPBF  ,  LT4356HDE-1#PBF  ,  STL100N10F7
제조업체:
IR (Infineon Technologies)
범주:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
설명:
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
RoHS는:
YES
IRFH5010TRPBF 사양
장착 유형:
Surface Mount
FET 유형:
N-Channel
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대):
±20V
드레인-소스 전압(Vdss):
100 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐):
10V
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스:
8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지:
8-PQFN (5x6)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs:
98 nC @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id:
4V @ 150µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds:
4340 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
9mOhm @ 50A, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
13A (Ta), 100A (Tc)
전력 소비(최대):
3.6W (Ta), 250W (Tc)
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기:미정
표준 포장 수량:1600
수량
단가
국제 가격
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