SI5457DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
부품 번호：
SI5457DC-T1-GE3
대체 모델：
SIRA58DP-T1-GE3 , TMUX6212PWR , FT2232HL-REEL , XR16L784IV-F , SI5424DC-T1-GE3 , 74LCX244MTCX , ABS07-LR-32.768KHZ-6-1-T , MB6S , SI2302CDS-T1-E3 , SI5471DC-T1-GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
RoHS는：
YES
SI5457DC-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-SMD, Flat Lead
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
2.5V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±12V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6A (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
38 nC @ 10 V
공급자 장치 패키지：
1206-8 ChipFET™
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1000 pF @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.4V @ 250µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
36mOhm @ 4.9A, 4.5V
전력 소비(최대)：
5.7W (Tc)
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：29898
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단가
국제 가격
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