BSC037N025S G
MOSFET N-CH 25V 21A/100A TDSON
BSC037N025S GСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
3.7mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
2.8W (Ta), 69W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2V @ 50µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
3660 pF @ 15 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
21A (Ta), 100A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
29 nC @ 5 V
