BSC048N025S G
MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON
BSC048N025S GСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
25 V
Пакет устройств поставщика：
PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2V @ 35µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
21 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
2670 pF @ 15 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
4.8mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
2.8W (Ta), 63W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
19A (Ta), 89A (Tc)
