BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSON
BSC119N03S GСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Пакет/кейс：
8-PowerTDFN
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
11 nC @ 5 V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2V @ 20µA
Пакет устройств поставщика：
PG-TDSON-8-1
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1370 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
2.8W (Ta), 43W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
11.9A (Ta), 30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
11.9mOhm @ 30A, 10V
