IPB80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB80N06S3-07Спецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
55 V
Пакет/кейс：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
80A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
170 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
PG-TO263-3-2
Рассеиваемая мощность (макс.)：
135W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id：
4V @ 80µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
6.5mOhm @ 51A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
7768 pF @ 25 V
