IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD12N03LB GСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
30A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
11 nC @ 5 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
52W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2V @ 20µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1300 pF @ 15 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
11.6mOhm @ 30A, 10V
