IPD20N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD20N03L GСпецификации
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
30A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.):
42W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
19 nC @ 5 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2V @ 25µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
20mOhm @ 15A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
695 pF @ 25 V