IPD230N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
IPD230N06NGBTMA1Спецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
31 nC @ 10 V
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Макс) @ Id：
4V @ 50µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
30A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.)：
100W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PG-TO252-3
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1100 pF @ 30 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 30A, 10V
