IPD350N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
IPD350N06LGBTMA1Спецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Рассеиваемая мощность (макс.)：
68W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PG-TO252-3
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
29A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
13 nC @ 5 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
35mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2V @ 28µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
800 pF @ 30 V
