IPD640N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
IPD640N06LGBTMA1Спецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
18A (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.)：
47W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2V @ 16µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
64mOhm @ 18A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
470 pF @ 30 V
