IPI100N06S3L04XK
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
IPI100N06S3L04XKСпецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
100A (Tc)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
55 V
Пакет/кейс：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
5V, 10V
ВГС (Макс)：
±16V
Пакет устройств поставщика：
PG-TO262-3
Рассеиваемая мощность (макс.)：
214W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2.2V @ 150µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
3.8mOhm @ 80A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
362 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
17270 pF @ 25 V
