IPI60R385CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3
IPI60R385CPXKSA1Спецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
650 V
Пакет/кейс：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
9A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.)：
83W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
22 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
PG-TO262-3
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
385mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
3.5V @ 340µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
790 pF @ 100 V
