SPI10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO262-3
SPI10N10Спецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (макс.)：
50W (Tc)
Пакет/кейс：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
10.3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
4V @ 21µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
19.4 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
426 pF @ 25 V
Пакет устройств поставщика：
PG-TO262-3-1
