SPI80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
SPI80N10LСпецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
100 V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
80A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
4540 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
250W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PG-TO262-3-1
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
240 nC @ 10 V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2V @ 2mA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 58A, 10V
