SPP20N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
SPP20N65C3HKSA1Спецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-220-3
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
650 V
Пакет устройств поставщика：
PG-TO220-3-1
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
2400 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
208W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
114 nC @ 10 V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
3.9V @ 1mA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
20.7A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
190mOhm @ 13.1A, 10V
