SPU02N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
SPU02N60C3BKMA1Спецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
1.8A (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
650 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
3.9V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
12.5 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
200 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
25W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
PG-TO251-3-21
