SPU18P06P
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3
SPU18P06PСпецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
60 V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Пакет/кейс：
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Макс) @ Id：
4V @ 1mA
Пакет устройств поставщика：
PG-TO251-3
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
33 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
18.6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
130mOhm @ 13.2A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
860 pF @ 25 V
