HAT2267H-EL-E
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
HAT2267H-EL-EСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Рабочая Температура：
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
6V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
80 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Пакет/кейс：
SC-100, SOT-669
Пакет устройств поставщика：
LFPAK
Рассеиваемая мощность (макс.)：
25W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
25A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 12.5A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
2150 pF @ 10 V
