BS107G
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
BS107GСпецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (макс.)：
350mW (Ta)
Пакет/кейс：
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
200 V
Пакет устройств поставщика：
TO-92 (TO-226)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
60 pF @ 25 V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
3V @ 1mA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
250mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
14Ohm @ 200mA, 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.6V, 10V
