NTD4815N-1G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
NTD4815N-1GСпецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2.5V @ 250µA
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Пакет/кейс：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Пакет устройств поставщика：
IPAK
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 11.5V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
15mOhm @ 30A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
6.9A (Ta), 35A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.)：
1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
6.6 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
770 pF @ 12 V
