NTD50N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
NTD50N03RT4GСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика：
DPAK
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
25 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 11.5V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
1.5W (Ta), 50W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
750 pF @ 12 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 30A, 11.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
15 nC @ 11.5 V
