NTHD3100CT1
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
NTHD3100CT1Спецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
8-SMD, Flat Lead
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация：
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора：
Logic Level Gate
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id：
1.2V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20V
Мощность - Макс.：
1.1W
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
2.3nC @ 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
2.9A, 3.2A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
165pF @ 10V
Пакет устройств поставщика：
ChipFET™
