NTLJD3115PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
NTLJD3115PT1GСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
6-WDFN Exposed Pad
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора：
Logic Level Gate
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id：
1V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20V
Конфигурация：
2 P-Channel (Dual)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
2.3A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 2A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
6.2nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
531pF @ 10V
Мощность - Макс.：
710mW
Пакет устройств поставщика：
6-WDFN (2x2)
