NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NTLJS3113PT1GСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет/кейс：
6-WDFN Exposed Pad
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±8V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
1V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (макс.)：
700mW (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
3.5A (Ta)
Пакет устройств поставщика：
6-WDFN (2x2)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 3A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
15.7 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1329 pF @ 16 V
