NTMD6P02R2SG
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NTMD6P02R2SGСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет устройств поставщика：
8-SOIC
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора：
Logic Level Gate
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id：
1.2V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20V
Конфигурация：
2 P-Channel (Dual)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
4.8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
35nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1700pF @ 16V
Мощность - Макс.：
750mW
