NTMS5P02R2SG
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
NTMS5P02R2SGСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет устройств поставщика：
8-SOIC
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
1.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
35 nC @ 4.5 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
3.95A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1900 pF @ 16 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
790mW (Ta)
