NTMSD3P102R2SG
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
NTMSD3P102R2SGСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет устройств поставщика：
8-SOIC
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2.5V @ 250µA
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
25 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
730mW (Ta)
Особенность полевого транзистора：
Schottky Diode (Isolated)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
750 pF @ 16 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
2.34A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
85mOhm @ 3.05A, 10V
