NTMSD6N303R2SG
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
NTMSD6N303R2SGСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Пакет устройств поставщика：
8-SOIC
Пакет/кейс：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2.5V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
6A (Ta)
Рассеиваемая мощность (макс.)：
2W (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Особенность полевого транзистора：
Schottky Diode (Isolated)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
32mOhm @ 6A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
950 pF @ 24 V
