FDB8832
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
FDB8832Спецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Пакет устройств поставщика：
TO-263 (D2PAK)
Пакет/кейс：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Макс) @ Id：
3V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (макс.)：
300W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
11400 pF @ 15 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
1.9mOhm @ 80A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
265 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
34A (Ta), 80A (Tc)
