FDD6N25TM
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
FDD6N25TMСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс)：
±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
250 V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
5V @ 250µA
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Рассеиваемая мощность (макс.)：
50W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
TO-252AA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
4.4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
250 pF @ 25 V
