FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
FDZ193PСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±12V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
3A (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id：
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
1.9W (Ta)
Пакет устройств поставщика：
6-WLCSP (1x1.5)
Пакет/кейс：
6-UFBGA, WLCSP
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
660 pF @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
90mOhm @ 1A, 4.5V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
1.7V, 4.5V
