FDZ493P
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
FDZ493PСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
P-Channel
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
2.5V, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
11 nC @ 4.5 V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
20 V
ВГС (Макс)：
±12V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
1.5V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (макс.)：
1.7W (Ta)
Пакет/кейс：
9-WFBGA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
4.6A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
754 pF @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
9-BGA (1.55x1.55)
