FQB9N50CFTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQB9N50CFTMСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс)：
±30V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика：
TO-263 (D2PAK)
Пакет/кейс：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
9A (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
500 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
35 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
1030 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
850mOhm @ 4.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
173W (Tc)
