IRF6643TRPBF
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
IRF6643TRPBFСпецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Рабочая Температура：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс)：
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
150 V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Пакет устройств поставщика：
DIRECTFET™ MZ
Пакет/кейс：
DirectFET™ Isometric MZ
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
55 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
2340 pF @ 25 V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
4.9V @ 150µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
34.5mOhm @ 7.6A, 10V
