IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD040N03LGATMA1Спецификации
Тип монтажа：
Surface Mount
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
4.5V, 10V
ВГС (Макс)：
±20V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
2.2V @ 250µA
Пакет/кейс：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Рассеиваемая мощность (макс.)：
79W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
90A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
38 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
PG-TO252-3-11
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 30A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
3900 pF @ 15 V
