IXFQ12N80P
MOSFET N-CH 800V 12A TO3P
Номер компонента:
IXFQ12N80P
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3P
РОХС:
YES
IXFQ12N80P Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс):
±30V
Пакет устройств поставщика:
TO-3P
Пакет/кейс:
TO-3P-3, SC-65-3
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
12A (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
800 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
360W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
5.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
51 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2800 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
850mOhm @ 500mA, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.