SI3911DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Номер компонента:
SI3911DV-T1-E3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
РОХС:
YES
SI3911DV-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет устройств поставщика:
6-TSOP
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20V
Конфигурация:
2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
450mV @ 250µA (Min)
Мощность - Макс.:
830mW
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1.8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
7.5nC @ 4.5V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.