SI7686DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7686DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
APT1608SURCK  ,  APT1608CGCK  ,  PI4ULS3V4857GEAEX  ,  ZL30274LDG1  ,  88E1512-A0-NNP2I000  ,  SIC473ED-T1-GE3  ,  BSS816NWH6327XTSA1  ,  ECS-2520S18-250-FN-TR  ,  TPS22969DNYR  ,  SIA459EDJ-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7686DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
35A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
26 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1220 pF @ 15 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.):
5W (Ta), 37.9W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1927
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.76
2280
6000
0.73
4380
9000
0.7
6300
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.